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CGHV35400F1

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Mouser REF:

941-CGHV35400F1

Fabr. N.º:

CGHV35400F1

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Hoja de datos:

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Restricción de entrega:

Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricción de entrega:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440225
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	125 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Frecuencia operativa máxima:	3.5 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.9 GHz
Tecnología:	GaN
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Energía de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

PCN

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

HEMT de GaN con coincidencia de E/S de 50 Ω y 400 W CGHV35400F

Los HEMT GaN con coincidencia de E/S de 50 Ω, de 2,9 GHz a 3,5 GHz y 400 W CGHV35400F de Wolfspeed para aplicaciones de amplificadores de radar de banda S ofrecen una alta eficiencia, una elevada ganancia y amplias capacidades de ancho de banda. El transistor CGHV35400F está adaptado a 50 Ω en la entrada y a 50 ohmios en la salida.