MOSFET – Mouser España

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DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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Resultados: 12

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Vds (Tensión separación drenador-fuente)

Id: corriente de drenaje continuo

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Tecnología	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A TK290P65Y,RQ Toshiba 1: 2,49 € 3.372En existencias	Fabr. N.º Ref. TK290P65Y,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK290P65YRQ	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	3.372En existencias	Cinta extraída 2,49 € 1,23 € 1,11 € 0,894 € 0,839 € Bobina 0,794 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A TK560P65Y,RQ Toshiba 1: 2,05 € 1.353En existencias	Fabr. N.º Ref. TK560P65Y,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK560P65YRQ	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	1.353En existencias	Cinta extraída 2,05 € 0,998 € 0,894 € 0,712 € 0,675 € Bobina 0,606 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A TK560P60Y,RQ Toshiba 1: 1,85 € 1.890En existencias	Fabr. N.º Ref. TK560P60Y,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK560P60YRQ	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	1.890En existencias	Cinta extraída 1,85 € 0,894 € 0,80 € 0,653 € Bobina 0,538 € 0,528 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A TK290A60Y,S4X Toshiba 1: 2,68 € 1.038En existencias	Fabr. N.º Ref. TK290A60Y,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK290A60YS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	1.038En existencias	2,68 € 1,25 € 0,963 € 0,859 € 0,858 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A TK380P60Y,RQ Toshiba 1: 2,07 € 3.850En existencias	Fabr. N.º Ref. TK380P60Y,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK380P60YRQ	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	3.850En existencias	Cinta extraída 2,07 € 1,01 € 0,912 € 0,722 € 0,686 € Bobina 0,617 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A TK290A65Y,S4X Toshiba 1: 2,85 € 95En existencias	Fabr. N.º Ref. TK290A65Y,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK290A65YS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	95En existencias	2,85 € 1,43 € 1,38 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A TK290P60Y,RQ Toshiba 1: 2,36 € 586En existencias	Fabr. N.º Ref. TK290P60Y,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK290P60YRQ	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	586En existencias	Cinta extraída 2,36 € 1,51 € 1,03 € 0,869 € Bobina 0,733 € Ver 0,774 € 0,697 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11.5 A	290 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Enhancement	DTMOSV	Reel, Cut Tape
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A TK560A65Y,S4X Toshiba 1: 2,91 € 177En existencias	Fabr. N.º Ref. TK560A65Y,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK560A65YS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	177En existencias	2,91 € 1,44 € 1,28 € 1,10 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A TK380A60Y,S4X Toshiba 1: 2,41 € No en almacén Plazo producción 16 Semanas	Fabr. N.º Ref. TK380A60Y,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK380A60YS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 16 Semanas	2,41 € 1,55 € 1,07 € 0,86 € Ver 0,806 € 0,777 € 0,757 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK380A65Y,S4X Toshiba 1: 2,71 € No en almacén Plazo producción 16 Semanas	Fabr. N.º Ref. TK380A65Y,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK380A65YS4X	Toshiba	MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 16 Semanas	2,71 € 1,75 € 1,20 € 0,972 € Ver 0,903 € 0,869 € 0,851 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A TK380P65Y,RQ Toshiba 2.000: 0,733 € No en almacén Plazo producción 24 Semanas	Fabr. N.º Ref. TK380P65Y,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK380P65YRQ	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 24 Semanas	Bobina 0,733 € 0,697 €	Mín.: 2.000 Múlt.: 2.000 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSV	Reel
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A TK560A60Y,S4X Toshiba 1: 2,24 € No en almacén Plazo producción 16 Semanas	Fabr. N.º Ref. TK560A60Y,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK560A60YS4X	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A Más información sobre Toshiba dtmos v mosfets	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 16 Semanas	2,24 € 1,43 € 0,972 € 0,828 € Ver 0,734 € 0,694 € 0,662 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	560 mOhms	30 V	4 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSV	Tube

DTMOSV Super Junction MOSFETs

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