BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M N-Channel MOSFETs

Nexperia BUK7Y1R0-40N and BUK7Y3R1-80M N-Channel MOSFETs are designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements, delivering high performance and endurance. These MOSFETs offer fast and efficient switching with optimal damping and low spiking. The BUK7Y1R0-40N and BUK7Y3R1-80M N-channel MOSFETs are encapsulated within LFPAK56 packages. The BUK7Y1R0-40N N-channel MOSFET utilizes the Trench 15 low-ohmic enhanced-Trench Bottom Oxide (e-TBO) technology, while the BUK7Y3R1-80M employs the Trench 14 low-ohmic split-gate technology. These N-channel MOSFETs are EU RoHS-compliant and feature a 175°C maximum junction temperature range. Typical applications include motors, lighting, and solenoid control, 12V automotive systems, and ultra-high-performance power switching.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nexperia MOSFET BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
345En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Nexperia MOSFET BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.498Fecha prevista: 03/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement