TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Resultados: 10
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Vr - Tensión inversa
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Hoja de datos
2.620En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
Hoja de datos
6.315En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
Hoja de datos
769En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
Hoja de datos
1.674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
Hoja de datos
1.277En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
Hoja de datos
455En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Hoja de datos
891En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 21 Semanas

Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A SM SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas

Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 21 Semanas

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C 650 V Tube