MOSFET de potencia de clase X4

Los MOSFET de potencia de clase X4 de IXYS ofrecen baja resistencia en estado activo y pérdidas de conducción bajas, con una eficiencia mejorada. Estos MOSFET de potencia vienen en un paquete PLUS, lo que permite una mayor corriente nominal y una mayor densidad de potencia. Los MOSFET de potencia de la clase X4 son compatibles con los pines del paquete TO-247 estándar y son fáciles de actualizar desde diseños existentes para ofrecer una mayor potencia de salida. Estos MOSFET de potencia cuentan con una baja carga de puerta y una baja resistencia térmica. Las aplicaciones típicas incluyen interruptor de carga DC, protección de batería, OR-ing de baterías, sistemas de almacenamiento de energía de batería y convertidores reductores-elevadores DC/DC.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
IXYS MOSFET 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247 605En existencias
27,69 €
16,96 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 3.3 mOhms 20 V 4.5 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.36 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264 398En existencias
35,50 €
25,80 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 2.65 mOhms 20 V 4.5 V 535 nC - 55 C + 175 C 1.56 kW Enhancement Tube