M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Resultados: 46
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
724En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
424En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
390En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
398En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
Hoja de datos
366En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 60MOHM
Hoja de datos
204En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
1.547En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 60MOHM 900V
Hoja de datos
475En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
449En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
618En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC 20MOHM 900V
Hoja de datos
194En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
380En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC 20MOHM 900V
Hoja de datos
279En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
864En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 750V
Hoja de datos
1.800Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 450
Múlt.: 450

TO-247-4 EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
3.600Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 450
Múlt.: 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 53 Semanas
Mín.: 450
Múlt.: 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC