IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Tecnología
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
17En existencias
120,82 €
116,53 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
236,71 €
189,35 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
43En existencias
187,41 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
61En existencias
219,99 €
177,70 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module
Hoja de datos
3En existencias
20Pedido
107,95 €
101,96 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
23Fecha prevista: 13/04/2027
150,17 €
148,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
1.114,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
1.146,55 €
Mín.: 3
Múlt.: 3
Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
160,23 €
Mín.: 10
Múlt.: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
202,52 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray