IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Tecnología
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
33En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
51En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
15En existencias
50Fecha prevista: 23/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module
Hoja de datos
5En existencias
20Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 3
Múlt.: 3

Si Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray