NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.
Más información
Más información sobre onsemi NTH4L060N065SC1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia delantera: mín.: 12 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 14 ns
Serie: NTH4L060N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has low ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

En existencias: 400

Existencias:
400 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,41 € 9,41 €
6,63 € 66,30 €
5,79 € 694,80 €

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de Ayuda.
Si tiene alguna pregunta acerca de un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, póngase en contacto con nosotros llamando al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.