MOSFET de SiC – Mouser España

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Empaquetado / Estuche

Vds (Tensión separación drenador-fuente)

Id: corriente de drenaje continuo

Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)

Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)

Qg (carga de compuertas)

Temperatura operativa mínima

Pd (disipación de potencia)

Cualificación

Restablecer todo

Buscar entre los resultados

En existencias

Normalmente en existencias

Activo

Nuevos productos

Cumple RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Cualificación
MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor 1: 20,57 € 1.034En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3080KLGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3080KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	1.034En existencias	20,57 € 12,80 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	31 A	104 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
MOSFET de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N SCT3022KLGC11 ROHM Semiconductor 1: 41,90 € 495En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3022KLGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3022KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	495En existencias	41,90 € 37,13 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	1.2 kV	95 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement
MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS SCT3030KLGC11 ROHM Semiconductor 1: 66,93 € 683En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3030KLGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3030KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	683En existencias	66,93 € 59,30 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	72 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	131 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N SCT3040KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: 42,51 € 450En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3040KLHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3040KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	450En existencias	42,51 € 36,83 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	55 A	52 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N SCT3030KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: 56,37 € 341En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3030KLHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3030KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	341En existencias	56,37 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	72 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	131 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: 103,38 € 351En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3017ALHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3017ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	351En existencias	103,38 € 99,08 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	650 V	118 A	22.1 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	172 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N SCT3030ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: 40,09 € 366En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3030ALHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3030ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	366En existencias	40,09 € 34,86 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	70 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: 107,59 € 199En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3022KLHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3022KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	199En existencias	107,59 € 104,87 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	1.2 kV	95 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: 17,17 € 1.619En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3105KLHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3105KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	1.619En existencias	17,17 € 13,28 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	24 A	137 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	51 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N SCT3060ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: 21,45 € 428En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3060ALHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3060ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	428En existencias	21,45 € 15,35 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	78 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	58 nC		+ 175 C	165 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor 1: 14,96 € 169En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3105KLGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3105KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	169En existencias	14,96 € 13,37 € 12,82 € 12,73 € 12,08 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	24 A	137 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	51 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement
MOSFET de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N SCT3120ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: 7,54 € 450En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3120ALHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3120ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	450En existencias	7,54 € 5,25 € 5,09 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	21 A	156 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	38 nC		+ 175 C	103 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N SCT3080ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: 16,76 € 366En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3080ALHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3080ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	366En existencias	16,76 € 11,86 € 11,75 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	650 V	30 A	104 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	48 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: 22,26 € 171En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3080KLHRC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3080KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N Más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	171En existencias	22,26 € 16,18 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	31 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	2.7 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC SCT3030ARC14 ROHM Semiconductor 1: 44,26 € 195En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. SCT3030ARC14 N.º Ref. Mouser 755-SCT3030ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC	Hoja de datos	195En existencias	44,26 € 33,89 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	70 A	30 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
MOSFET de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor 1: 18,61 € 529En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. SCT3080ARC14 N.º Ref. Mouser 755-SCT3080ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver	Hoja de datos	529En existencias	18,61 € 14,73 € 12,75 € 12,06 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement
MOSFET de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC SCT3060ARC14 ROHM Semiconductor 1: 22,95 € 704En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. SCT3060ARC14 N.º Ref. Mouser 755-SCT3060ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC	Hoja de datos	704En existencias	22,95 € 14,92 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	60 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
MOSFET de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC SCT3040KRC14 ROHM Semiconductor 1: 46,29 € 61En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. SCT3040KRC14 N.º Ref. Mouser 755-SCT3040KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC	Hoja de datos	61En existencias	46,29 € 35,81 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	40 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
MOSFET de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor 1: 16,36 € 150En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. SCT3080KRC14 N.º Ref. Mouser 755-SCT3080KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC	Hoja de datos	150En existencias	16,36 € 9,68 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	31 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver SCT3105KRC14 ROHM Semiconductor 1: 16,03 € 87En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. SCT3105KRC14 N.º Ref. Mouser 755-SCT3105KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver	Hoja de datos	87En existencias	16,03 € 12,30 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	24 A	105 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement
MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA SCT3160KWAHRTL ROHM Semiconductor 1: 8,51 € 990En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3160KWAHRTL N.º Ref. Mouser 755-SCT3160KWAHRTL	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	990En existencias	Cinta extraída 8,51 € 4,69 € 4,37 € Bobina 4,13 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	17 A	208 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	42 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET SCT3160KWATL ROHM Semiconductor 1: 8,32 € 753En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3160KWATL N.º Ref. Mouser 755-SCT3160KWATL	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	753En existencias	Cinta extraída 8,32 € 4,58 € 4,24 € Bobina 4,01 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	17 A	208 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	42 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement
MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS SCT3022ALGC11 ROHM Semiconductor 1: 48,31 € 188En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3022ALGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3022ALGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	188En existencias	48,31 € 34,65 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	93 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement
MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor 1: 29,15 € 84En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3030ALGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3030ALGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	84En existencias	29,15 € 18,88 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	70 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor 1: 14,50 € 1.069En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT3060ALGC11 N.º Ref. Mouser 755-SCT3060ALGC11	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	1.069En existencias	14,50 € 8,11 € 7,91 € 7,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	78 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	58 nC		+ 175 C	165 W	Enhancement

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina Atención al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Compartir esto

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

Filtros aplicados: