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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

863-FDT4N50NZU

Fabr. N.º:

FDT4N50NZU

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

Hoja de datos:

FDT4N50NZU Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	500 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.5 V
Qg (carga de compuertas):	9.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDT4N50NZU
Cantidad del paquete de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

FDT4N50NZU Hoja de datos (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: República Checa

El país puede cambiar en el momento del envío.

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET is a high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. The MOSFET has a small on-state resistance among the planar MOSFET. It provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. An internal gate-source ESD diode allows the UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs

80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.

Más información

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

Más información

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Más información

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,83 €	1,83 €
	0,929 €	9,29 €
	0,782 €	78,20 €
	0,634 €	317,00 €
	0,568 €	568,00 €
	0,531 €	1.062,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 4000)
	0,51 €	2.040,00 €

FDT4N50NZU

Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

PCN

Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

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Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

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