EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors (BRTs) are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistors (BRTs) integrate a single transistor with a monolithic bias network comprising two resistors - a series base resistor and a base-emitter resistor. These BRTs eliminate these individual components by integrating them into a single device. The EMD4DXV6 transistors feature a 50VDC collector-base voltage, 50VDC collector-emitter voltage, and 100mADC collector current. These transistors support a -55°C to +150°C junction and storage temperature range.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Configuración Polaridad de transistor Resistencia típica de entrada Ratio típica de resistencia Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Colector CC/Ganancia base hfe Min Voltaje colector-emisor VCEO máx. Corriente continua del colector Corriente pico del colector CC Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
onsemi Transistores digitales Dual Complementary NPN & PNP Digital 6.536En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistores digitales Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4.000Fecha prevista: 16/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 400
: 4.000

Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape