Resultados: 11
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
740En existencias
2.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
299En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.621En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
641En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
5.094En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
177En existencias
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
161En existencias
1.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
437En existencias
2.000Fecha prevista: 10/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
491En existencias
3.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement