MOSFET de SiC – Mouser España

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 33,23 € 1.563En existencias 1.000Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBG120R008M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R008M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1.563En existencias 1.000Pedido	Cinta extraída 33,23 € 27,12 € 23,96 € 23,82 € Bobina 22,37 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	189 A	7.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 23,89 € 1.975En existencias	Fabr. N.º Ref. IMBG120R012M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R012M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1.975En existencias	Cinta extraída 23,89 € 16,50 € 16,46 € 15,56 € Bobina 14,52 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	144 A	12.2 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 15,32 € 235En existencias	Fabr. N.º Ref. IMBG120R022M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R022M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	235En existencias	Cinta extraída 15,32 € 11,67 € 9,73 € 8,67 € Bobina 8,09 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	87 A	21.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,64 € 1.593En existencias	Fabr. N.º Ref. IMBG120R026M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R026M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1.593En existencias	Cinta extraída 11,64 € 7,10 € 6,97 € Bobina 6,63 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	75 A	25.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	335 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,53 € 3.601En existencias 2.000Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBG120R234M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R234M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	3.601En existencias 2.000Pedido	Cinta extraída 4,53 € 2,36 € 2,14 € 1,89 € Bobina 1,88 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	8.1 A	233.9 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	80 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,81 € 79En existencias 1.000Fecha prevista: 17/12/2026	Fabr. N.º Ref. IMBG120R040M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R040M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	79En existencias 1.000Fecha prevista: 17/12/2026	Cinta extraída 9,81 € 6,94 € 5,78 € 5,15 € Bobina 4,82 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	52 A	39.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,07 € 250En existencias 1.000Fecha prevista: 19/11/2026	Fabr. N.º Ref. IMBG120R053M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R053M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	250En existencias 1.000Fecha prevista: 19/11/2026	Cinta extraída 8,07 € 5,51 € 4,54 € 4,05 € Bobina 3,79 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	41 A	52.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,06 € 227En existencias 2.000Fecha prevista: 03/12/2026	Fabr. N.º Ref. IMBG120R078M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R078M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	227En existencias 2.000Fecha prevista: 03/12/2026	Cinta extraída 7,06 € 4,97 € 4,02 € 3,58 € Bobina 3,16 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	29 A	78.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	20.6 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,56 € 182En existencias 4.000Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBG120R181M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R181M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	182En existencias 4.000Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMBG120R181M2HXTMA1 Existencias: 182 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 2.000 Fecha prevista: 13/05/2027 2.000 Fecha prevista: 24/06/2027 Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	Cinta extraída 5,56 € 3,64 € 2,68 € 2,38 € Bobina 2,11 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	14.9 A	181.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 17,48 € 1.999Fecha prevista: 19/11/2026	Fabr. N.º Ref. IMBG120R017M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R017M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	1.999Fecha prevista: 19/11/2026	Cinta extraída 17,48 € 13,05 € 11,29 € 10,69 € Bobina 9,98 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	107 A	17.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	470 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,14 € 2.000Fecha prevista: 03/12/2026	Fabr. N.º Ref. IMBG120R116M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R116M2HXT	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Hoja de datos	2.000Fecha prevista: 03/12/2026	Cinta extraída 6,14 € 4,11 € 3,30 € 2,93 € Bobina 2,60 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	21.2 A	115.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement

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