MOSFET de SiC – Mouser España

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MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio para automoción de STMicroelectronics están desarrollados mediante la tecnología MOSFET SiC de 2.ª y 3.ª generación avanzada e innovadora de ST. Los dispositivos presentan una baja resistencia de activación por unidad de superficie y un rendimiento de conmutación excelente. Los MOSFET presentan una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta (TJ = 200°C) y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto.

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Resultados: 17

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Estilo de montaje

Empaquetado / Estuche

Vds (Tensión separación drenador-fuente)

Id: corriente de drenaje continuo

Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)

Vgs (tensión de compuerta-fuente)

Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Cualificación
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: 19,15 € 1.253En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT020HU120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1.253En existencias	Cinta extraída 19,15 € 14,30 € 12,38 € Bobina 12,03 € Cotización Cotización MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: 20,91 € 558En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT012W90G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	558En existencias	20,91 € 16,74 € 14,47 € 13,71 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 23,84 € 443En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT015W120G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	443En existencias	23,84 € 19,08 € 16,50 € 15,63 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,22 € 181En existencias 600Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT020W120G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	181En existencias 600Pedido	17,22 € 10,20 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,42 € 817En existencias	Fabr. N.º Ref. SCT040H120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	817En existencias	Cinta extraída 11,42 € 8,51 € 7,10 € 6,32 € Bobina 5,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,22 € 9En existencias 1.200Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT025W120G3-4AG N.º Ref. Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	9En existencias 1.200Pedido	17,22 € 11,18 € 9,89 € 9,10 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: 16,30 € 5En existencias 600Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT025W120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	5En existencias 600Pedido	16,30 € 10,14 € 9,51 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: 12,03 € 6En existencias 600Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT040W120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	6En existencias 600Pedido	12,03 € 9,17 € 7,64 € 6,81 € 6,36 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: 26,51 € 1.200Fecha prevista: 20/08/2027	Fabr. N.º Ref. SCT011HU75G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1.200Fecha prevista: 20/08/2027	Cinta extraída 26,51 € 21,22 € 18,35 € Bobina 17,38 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: 23,19 € 1.800Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT016H120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT016H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1.800Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: SCT016H120G3AG Existencias: 0 Pedido: 800 Fecha prevista: 14/05/2027 1.000 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 25 Semanas	Cinta extraída 23,19 € 18,57 € 16,06 € 15,20 € Bobina 14,21 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: 15,79 € 1.997Fecha prevista: 04/06/2027	Fabr. N.º Ref. SCT025H120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1.997Fecha prevista: 04/06/2027	Cinta extraída 15,79 € 9,78 € 9,65 € Bobina 8,91 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: 19,83 € 998Fecha prevista: 04/06/2027	Fabr. N.º Ref. SCT012H90G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	998Fecha prevista: 04/06/2027	Cinta extraída 19,83 € 12,87 € 12,85 € 12,14 € Bobina 11,34 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: 13,94 € 1.200Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT040HU120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT040HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1.200Pedido	Cinta extraída 13,94 € 10,62 € 8,85 € Bobina 7,89 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,75 € 600Fecha prevista: 20/08/2027	Fabr. N.º Ref. SCT040HU65G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	600Fecha prevista: 20/08/2027	Cinta extraída 11,75 € 8,95 € 7,46 € Bobina 6,65 € 6,29 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,64 € 1.800Fecha prevista: 27/08/2027	Fabr. N.º Ref. SCT055HU65G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1.800Fecha prevista: 27/08/2027	Cinta extraída 11,64 € 7,52 € 6,85 € Bobina 6,23 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 599Fecha prevista: 14/12/2026	Fabr. N.º Ref. SCT070HU120G3AG N.º Ref. Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	599Fecha prevista: 14/12/2026	Cinta extraída 12,62 € 8,66 € 7,63 € Bobina 6,88 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: 11,76 € 100Pedido	Fabr. N.º Ref. SCT040W120G3-4 N.º Ref. Mouser 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package Más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	100Pedido	11,76 € 8,76 € 7,30 € 6,51 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101