NTHL080N120SC1A

onsemi
863-NTHL080N120SC1A
NTHL080N120SC1A

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia delantera: mín.: 13 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 20 ns
Serie: NTHL080N120SC1A
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13 ns
Peso unitario: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NTHL080N120SC1A N-Channel SiC MOSFET

onsemi NTHL080N120SC1A N-Channel MOSFET provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. This MOSFET offers low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. onsemi NTHL080N120SC1A MOSFET features high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, boost inverters, power factor correction (PFC), photovoltaic (PV) charging, solar inverters, server power supplies, and network power supplies.

En existencias: 1.185

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
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