SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DRC15
SCT4013DRC15

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

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ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Transconductancia delantera: mín.: 32 S
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 32 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 82 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 17 ns
Alias de parte #: SCT4013DR
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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

MOSFET de SiC de canal N de 750 V

Los MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor pueden aumentar la frecuencia de conmutación, lo que reduce el volumen de condensadores, reactores y otros componentes necesarios. Estos MOSFET de SiC están disponibles en los paquetes TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA y TO-247-4L. Los dispositivos tienen una resistencia estática de drenaje a fuente en estado encendido [RDS(on)] (típica) de 13 mΩ a 65 mΩ y una corriente continua de drenaje (ID) y de fuente (IS) (TC=25°C) de 22 A a 120 A. Estos MOSFET de SiC de canal N de 750 V de ROHM Semiconductor ofrecen altas tensiones de resistencia, baja resistencia en estado encendido y características de conmutación de alta velocidad, aprovechando los atributos únicos de la tecnología SiC.

SCT4013DR N-Channel SiC Power MOSFET

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Disponibilidad

Existencias:
0

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Pedido:
450
Fecha prevista: 11/11/2026
Plazo de producción de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
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