Standard N-Channel HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS Standard N-Channel HiPerFET™ Power MOSFETs are designed for both hard switching and resonant mode applications. These devices offer low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. IXYS Standard N-Channel HiPerFET™ Power MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Hoja de datos
415En existencias
10,00 €
5,80 €
5,19 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Hoja de datos
1.412En existencias
8,46 €
6,06 €
5,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
Hoja de datos
300Disponible de fábrica
Más información disponible
27,54 €
22,47 €
19,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Bobina
6,08 €
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRR
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 36 Semanas
Bobina
6,08 €
Mín.: 800
Múlt.: 800
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
15,65 €
12,14 €
Mín.: 25
Múlt.: 25
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
Hoja de datos
No en almacén
18,08 €
13,50 €
11,67 €
11,05 €
10,47 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 31 Semanas
22,74 €
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube