Resultados: 13
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5.855En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4.549En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Hoja de datos
207En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
896En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4.952En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.266En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.689En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
7.577En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Hoja de datos
5.159En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Hoja de datos
2.683En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.454En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
Hoja de datos
1.051En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 400V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel