MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1200 V de Wolfspeed   establecen el estándar de rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed ofrecen una conmutación rápida y una pérdida de conmutación baja, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el coste total de la lista de materiales en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT.

Resultados: 24
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial 1.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 63En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial 661En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 699En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial 903En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 644En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 840En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 434En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 304En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 517En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial 941En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 119En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 382En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial 677En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-3, Industrial 1.132En existencias
1.800Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial 156En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET 58En existencias
450Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
870Fecha prevista: 12/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
695Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
900Fecha prevista: 19/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement