Resultados: 10
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6.582En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
718En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.613En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.214En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.695En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
5.492En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
3.432En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
290En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
37En existencias
1.800Fecha prevista: 04/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
5.000Fecha prevista: 01/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel