Resultados: 10
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 639En existencias
7,59 €
5,03 €
4,64 €
4,61 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3.296En existencias
Cinta extraída
23,61 €
18,36 €
17,52 €
17,38 €
Bobina
17,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 500En existencias
8,72 €
5,79 €
5,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En existencias
Cinta extraída
10,55 €
5,94 €
5,80 €
5,49 €
Bobina
5,49 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En existencias
12,81 €
8,65 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TOLL 650V 1.364En existencias
Cinta extraída
11,53 €
6,66 €
6,63 €
6,57 €
6,18 €
Bobina
6,18 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
24,74 €
17,37 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 299En existencias
1.350Pedido
8,20 €
4,61 €
4,24 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET de SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330En existencias
Cinta extraída
11,43 €
7,34 €
6,94 €
Bobina
6,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13En existencias
450Fecha prevista: 29/01/2027
9,31 €
5,61 €
4,55 €
4,15 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC