STF10LN80K5

STMicroelectronics
511-STF10LN80K5
STF10LN80K5

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
630 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 10 ns
Serie: STF10LN80K5
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11.8 ns
Peso unitario: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alta tensión SuperMESH™

Los MOSFET de alimentación SuperMESH™ con protección Zener de STMicroelectronics representan una optimización extrema de la distribución PowerMESH™ basada en tiras estándar. Los MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics hacen bajar la resistencia de encendido de forma significativa a la vez que garantizan una muy buena capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Los dispositivos SuperMESH tienen una mínima carga de compuerta y su resistencia frente a avalanchas está probada al 100%, a la vez que ofrecen una mejora de la capacidad ESD y un nueva referencia de alta tensión. Estos MOSFET de STMicroelectronics están diseñados para ser utilizados en aplicaciones de conmutación.
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STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology. This technology is based on an innovative proprietary vertical structure that reduces on-resistance and ultra-low gate charge for various applications. This STF10LN80K5 Power MOSFET has a built-in Zener diode that enhances the Electrostatic Discharge (ESD) performance of the device. The Zener voltage of the device eliminates the need for additional external componentry by facilitating cost-effective device integrity protection. The STF10LN80K5 Power MOSFET is ideal for switching applications.

En existencias: 622

Existencias:
622 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,36 € 3,36 €
1,74 € 17,40 €
1,61 € 161,00 €
1,32 € 660,00 €
1,17 € 1.170,00 €
1,09 € 2.180,00 €
1,05 € 5.250,00 €

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