MOSFET de SiC – Mouser España

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Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
	MOSFET de SiC SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: 18,89 € 710En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. AIMW120R045M1XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SIC_DISCRETE Más información sobre Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Hoja de datos	710En existencias	18,89 € 14,04 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1.701En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW65R027M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.701En existencias	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R048M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	298En existencias	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24.930Pedido	Fabr. N.º Ref. IMBF170R1K0M1XTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	24.930Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMBF170R1K0M1XTMA1 Existencias: 0 Pedido: 1.930 Fecha prevista: 07/01/2027 23.000 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	Cinta extraída 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Bobina 1,85 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 2.160Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2.160Pedido	15,94 € 12,14 € 10,12 € 9,01 € 8,42 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,12 € 978Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R140M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	978Pedido	7,12 € 4,39 € 4,06 € 3,23 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,53 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA65R072M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	7,53 € 4,43 € 3,67 € 3,66 €	Mín.: 1 Múlt.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC