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MOSFET de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,59 €
-
736En existencias
-
NRND
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N.º Ref. Mouser
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC SIC_DISCRETE
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736En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
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Through Hole
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TO-247-3
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N-Channel
|
1 Channel
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1.2 kV
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52 A
|
59 mOhms
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- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
228 W
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Enhancement
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CoolSiC
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MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,05 €
-
10.930Pedido
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N.º Ref. Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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10.930Pedido
Pedido:
6.930 Fecha prevista: 28/07/2026
4.000 Fecha prevista: 07/01/2027
Plazo de producción de fábrica:
53 Semanas
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|
5,05 €
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3,18 €
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|
2,38 €
|
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|
2,03 €
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1,89 €
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|
1,81 €
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Mín.: 1
Múlt.: 1
:
1.000
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SMD/SMT
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TO-263-7
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N-Channel
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
5.2 A
|
1 Ohms
|
- 10 V, + 20 V
|
4.5 V
|
5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
68 W
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Enhancement
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CoolSiC
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MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,01 €
-
305En existencias
-
NRND
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N.º Ref. Mouser
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
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Infineon Technologies
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MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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|
305En existencias
|
|
|
7,01 €
|
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|
4,58 €
|
|
|
3,76 €
|
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|
3,29 €
|
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|
3,11 €
|
|
Mín.: 1
Múlt.: 1
|
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Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
19 A
|
182 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
3.5 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,95 €
-
1.224En existencias
-
NRND
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N.º Ref. Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1.224En existencias
|
|
|
13,95 €
|
|
|
10,63 €
|
|
|
8,86 €
|
|
|
7,89 €
|
|
|
7,46 €
|
|
Mín.: 1
Múlt.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
34 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
62 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
189 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,57 €
-
40En existencias
-
240Fecha prevista: 07/08/2026
-
NRND
|
N.º Ref. Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
40En existencias
240Fecha prevista: 07/08/2026
|
|
|
9,57 €
|
|
|
6,77 €
|
|
|
5,64 €
|
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|
5,01 €
|
|
|
4,76 €
|
|
Mín.: 1
Múlt.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
39 A
|
64 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,84 €
-
2.160Pedido
-
NRND
|
N.º Ref. Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2.160Pedido
Pedido:
720 Fecha prevista: 17/09/2026
Plazo de producción de fábrica:
45 Semanas
|
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|
15,84 €
|
|
|
10,47 €
|
|
|
9,05 €
|
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|
8,80 €
|
|
Mín.: 1
Múlt.: 1
|
|
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Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
40 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.7 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,16 €
-
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
-
NRND
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N.º Ref. Mouser
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
|
|
|
8,16 €
|
|
|
5,74 €
|
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|
4,21 €
|
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|
3,70 €
|
|
Mín.: 1
Múlt.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
94 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
|
España