NTHL015N065SC1

onsemi
863-NTHL015N065SC1
NTHL015N065SC1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
163 A
18 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
283 nC
- 55 C
+ 175 C
643 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia delantera: mín.: 44 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 77 ns
Serie: NTHL015N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 47 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 25 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

NTHL015N065SC1 12mohm Silicon Carbide MOSFETs

onsemi NTHL015N065SC1 12mohm Silicon Carbide MOSFETs are housed in a TO-247-3L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTHL015N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

En existencias: 618

Existencias:
618 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
34 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
26,02 € 26,02 €
18,25 € 182,50 €
17,48 € 1.748,00 €

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