TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

Resultados: 11
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
Hoja de datos
438En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
435En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
Hoja de datos
436En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
447En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
661En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement