M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
Hoja de datos
912En existencias
7,65 €
4,19 €
3,64 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
Hoja de datos
274En existencias
1.000Fecha prevista: 07/09/2027
5,56 €
3,65 €
2,68 €
2,38 €
2,12 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Hoja de datos
327En existencias
6,24 €
3,58 €
2,99 €
2,78 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
Hoja de datos
445En existencias
4,90 €
2,99 €
2,34 €
1,86 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Hoja de datos
1.393Fecha prevista: 04/12/2026
5,56 €
3,64 €
2,67 €
2,38 €
2,12 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Hoja de datos
600Fecha prevista: 20/08/2027
5,38 €
3,05 €
2,86 €
2,27 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Hoja de datos
592Fecha prevista: 20/08/2027
4,25 €
2,80 €
1,99 €
1,60 €
1,53 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
6,09 €
4,08 €
3,28 €
2,91 €
2,58 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube