CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage VGS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

Resultados: 45
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
1.677En existencias
750Fecha prevista: 01/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
188En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
215En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Hoja de datos
182En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Hoja de datos
5En existencias
960Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
588En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1.558En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 50

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
1.832En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
720En existencias
750Fecha prevista: 31/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
335En existencias
750Fecha prevista: 08/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Hoja de datos
856En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
692En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Hoja de datos
660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
115En existencias
240Fecha prevista: 03/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 10

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
147En existencias
240Fecha prevista: 17/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
341En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Hoja de datos
352En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
496En existencias
240Fecha prevista: 27/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
609En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
451En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
1.001En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 70

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Hoja de datos
739En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.043En existencias
1.000Fecha prevista: 03/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 10
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
3.160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Hoja de datos
150En existencias
750Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1.2 kV 257 A 7.5 mOhms 4.2 V + 175 C - 55 C 1.172 kW CoolSiC