Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Tipos de Semiconductores
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Resultados: 51
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Hoja de datos
7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
149En existencias
2.500Fecha prevista: 07/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Hoja de datos
471Fecha prevista: 25/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
551Fecha prevista: 20/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
480Fecha prevista: 18/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Hoja de datos
956Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
200Fecha prevista: 19/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480