MOSFET – Mouser España

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 11

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Empaquetado / Estuche

Vds (Tensión separación drenador-fuente)

Id: corriente de drenaje continuo

Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)

Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)

Qg (carga de compuertas)

Pd (disipación de potencia)

Empaquetado

Restablecer todo

Buscar entre los resultados

En existencias

Normalmente en existencias

Activo

Nuevos productos

Cumple RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Tecnología	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
MOSFET TO252 900V 2A N-CH MOSFET TK2P90E,RQ Toshiba 1: 1,55 € 4.015En existencias	Fabr. N.º Ref. TK2P90E,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK2P90ERQ	Toshiba	MOSFET TO252 900V 2A N-CH MOSFET Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	4.015En existencias	Cinta extraída 1,55 € 0,81 € 0,628 € 0,494 € Bobina 0,458 € Ver 0,458 € 0,431 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	900 V	2 A	5.9 Ohms	30 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	MOSVIII	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ TK3P80E,RQ Toshiba 1: 1,32 € 3.090En existencias	Fabr. N.º Ref. TK3P80E,RQ N.º Ref. Mouser 757-TK3P80ERQ	Toshiba	MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	3.090En existencias	Cinta extraída 1,32 € 0,619 € 0,551 € 0,432 € Bobina 0,414 € Ver 0,431 € 0,339 € 0,335 € 0,329 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3 A	4.9 Ohms	30 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	MOSVIII	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN TK9J90E,S1E Toshiba 1: 3,37 € 2.096En existencias	Fabr. N.º Ref. TK9J90E,S1E N.º Ref. Mouser 757-TK9J90ES1E	Toshiba	MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	2.096En existencias	3,37 € 1,92 € 1,52 € 1,39 € 1,02 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-3P	N-Channel	1 Channel	900 V	9 A	1.3 Ohms	30 V	2.5 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS TK10A80E,S4X Toshiba 1: 2,44 € 153En existencias	Fabr. N.º Ref. TK10A80E,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK10A80ES4X	Toshiba	MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	153En existencias	2,44 € 1,20 € 1,12 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	700 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN TK10J80E,S1E Toshiba 1: 3,30 € 4En existencias 125Fecha prevista: 16/11/2026	Fabr. N.º Ref. TK10J80E,S1E N.º Ref. Mouser 757-TK10J80ES1E	Toshiba	MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	4En existencias 125Fecha prevista: 16/11/2026	3,30 € 1,69 € 1,50 € 1,23 € Ver 1,19 € 1,14 € 1,09 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	700 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ TK3A90E,S4X Toshiba 1: 1,38 € 250En existencias	Fabr. N.º Ref. TK3A90E,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK3A90ES4X	Toshiba	MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	250En existencias	1,38 € 0,654 € 0,653 € 0,511 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	2.5 A	4.6 Ohms	30 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ TK4A80E,S4X Toshiba 1: 1,41 € 265En existencias	Fabr. N.º Ref. TK4A80E,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK4A80ES4X	Toshiba	MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	265En existencias	1,41 € 0,665 € 0,664 € 0,511 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	3.5 Ohms	30 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS TK6A80E,S4X Toshiba 1: 2,03 € 158En existencias	Fabr. N.º Ref. TK6A80E,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK6A80ES4X	Toshiba	MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	158En existencias	2,03 € 0,989 € 0,98 € 0,86 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	1.35 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS TK7A90E,S4X Toshiba 1: 1,89 € 170En existencias	Fabr. N.º Ref. TK7A90E,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK7A90ES4X	Toshiba	MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	170En existencias	1,89 € 0,92 € 0,912 € 0,787 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN TK7J90E,S1E Toshiba 1: 2,87 € 96En existencias	Fabr. N.º Ref. TK7J90E,S1E N.º Ref. Mouser 757-TK7J90ES1E	Toshiba	MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	96En existencias	2,87 € 1,44 € 1,27 € 1,04 € Ver 1,01 € 0,989 € 0,955 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS TK9A90E,S4X Toshiba 1: 2,76 € 151En existencias 400Pedido	Fabr. N.º Ref. TK9A90E,S4X N.º Ref. Mouser 757-TK9A90ES4X	Toshiba	MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS Más información sobre Toshiba mosviii mosfets	Hoja de datos	151En existencias 400Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: TK9A90E,S4X Existencias: 151 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 200 Fecha prevista: 09/11/2026 200 Fecha prevista: 15/01/2027 Plazo de producción de fábrica: 16 Semanas	2,76 € 1,35 € 1,20 € 1,02 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	9 A	1 Ohms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	MOSVIII	Tube

π-MOS VIII MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina Atención al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Compartir esto

π-MOS VIII MOSFETs

Filtros aplicados: