MOSFET de baja potencia de señal

Los MOSFET de baja potencia de señal Infineon están disponibles en 7 tipos de paquete estándar en la industria, desde el mayor SOT-223 hasta el menor SOT-363, que mide 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Se ofrecen en configuraciones individual, doble y complementaria. Existen en versiones de canal N, de canal P o complementaria (canal P y canal N en el mismo paquete) para cumplir una variedad de requisitos de diseño. Aplicaciones típicas de estos dispositivos: protección de batería, iluminación LED, accionamientos de tensión baja y convertidores de CC/CC. Cada uno de estos MOSFET de baja potencia de señal también sirve para AEC Q101 para automoción.
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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 No en almacén Plazo producción 31 Semanas
Mín.: 9.000
Múlt.: 9.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 310 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 40 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 9.000
Múlt.: 9.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 No en almacén Plazo producción 40 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 No en almacén Plazo producción 51 Semanas
Mín.: 12.000
Múlt.: 12.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 119 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel