OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead and quick-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (VGS(th)), allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers, leading to a lower part count in the application.

Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
8.119En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
2.521En existencias
5.000Fecha prevista: 08/10/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
514En existencias
25.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
2.142En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel