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Diodos de recuperación ultrarrápida RFNxRSM2S
Los diodos de recuperación ultrarrápida de ROHM Semiconductor RFNxRSM2S son diodos planares epitaxiales de silicio con baja tensión directa y baja pérdida de conmutación. Estos diodos ultrarrápidos disponen de una tensión inversa de pico de 200 V y un rango de temperatura de almacenamiento de -55°C a 175°C. Los diodos de recuperación ultrarrápida RFNxRSM2S ofrecen una alta capacidad de sobrecarga de corriente. Los diodos vienen en un encapsulado TO-277A. Los diodos de recuperación ultrarrápida RFNxRSM2S cumplen la normativa RoHS y son ideales para aplicaciones generales de rectificación.