MOSFET SiC de canal N NSF0x0120

Nexperia NSF0x0120 N-Channel SiC MOSFETs offer superior RDS(on) temperature stability in a 7-pin TO-263 or 22-pin QDPAK plastic package for surface-mounting PCB technology. The NSF0x0120 is based on a 1200V power MOSFET with a fast switching speed. These combined features make the Nexperia NSF0x0120 MOSFETs ideal for high-power and high-voltage industrial applications, including E-vehicle charging infrastructure, DC-DC converters, photovoltaic inverters, auxiliary drives, and motor drives.

Resultados: 25
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nexperia MOSFET de SiC NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 108 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 50 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 78 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 33 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 152 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
105En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Nexperia MOSFET de SiC NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
99En existencias
9Fecha prevista: 19/11/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Nexperia MOSFET de SiC NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
105En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Nexperia MOSFET de SiC NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
91En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Nexperia MOSFET de SiC NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
82En existencias
34Fecha prevista: 17/12/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Nexperia MOSFET de SiC NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Hoja de datos
105En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Nexperia MOSFET de SiC NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Hoja de datos
477En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Hoja de datos
785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Hoja de datos
599En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 67 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Hoja de datos
715En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Hoja de datos
670En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 122 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 190 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Hoja de datos
660En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 69 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
Hoja de datos
795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
Hoja de datos
795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
Hoja de datos
750En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 60 mOhms 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 36 A 90 mOhms 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Hoja de datos
429En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 30

Nexperia MOSFET de SiC NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Hoja de datos
795En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Hoja de datos
790En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Hoja de datos
50En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 30

Nexperia MOSFET de SiC NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Nexperia MOSFET de SiC NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 450
Múlt.: 30
: 30