100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon Technologies 100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs are optimized for low on-resistance (RDS(on)) and high current capability. These devices offer an RDS(on) as low as 1.3mΩ at 100V and a current handling capability as high as 209A at 100V. These features result in reduced conduction losses and increased power density while still accommodating legacy designs. The StrongIRFET Power MOSFETs are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications, including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.  

Resultados: 11
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
5.093En existencias
400Pedido
5,78 €
3,29 €
2,87 €
2,69 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.877En existencias
7,59 €
4,27 €
3,65 €
3,44 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
14.260En existencias
8,51 €
5,19 €
4,73 €
4,35 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1.555En existencias
1.200Fecha prevista: 05/01/2027
9,63 €
5,38 €
4,96 €
4,87 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
522En existencias
2.400Pedido
7,02 €
3,80 €
3,48 €
2,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
Hoja de datos
674En existencias
16,79 €
11,63 €
9,69 €
8,87 €
8,18 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
89En existencias
7.600Pedido
5,04 €
2,65 €
2,30 €
2,00 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
359En existencias
400Fecha prevista: 15/10/2026
3,42 €
1,74 €
1,57 €
1,28 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Hoja de datos
3.180En existencias
6,67 €
3,59 €
3,29 €
2,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Hoja de datos
1.828Pedido
3,73 €
1,91 €
1,69 €
1,41 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 22 Semanas
11,64 €
8,69 €
6,87 €
6,67 €
6,46 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube