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MOSFET de potencia RQ3xFRATCB
Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor tienen grado automotriz y calificación AEC-Q101. Estos MOSFET presentan un rango de tensión de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y una corriente de drenaje continua de ±12 A a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia vienen en un encapsulado HSMT8AG pequeño de 3,3 mm x 3,3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y carrocería.