MOSFET TKx de canal N de silicio

Los MOSFET TKx de canal N de silicio de Toshiba están disponibles en los tipos U-MOSX-H y DTMOSVI y ofrecen características de rendimiento excepcionales. Estos MOSFET están diseñados con tiempos de recuperación inversa rápidos que mejoran la eficiencia en aplicaciones de conmutación de alta velocidad al reducir el retardo entre los estados de apagado y encendido. La baja resistencia de drenaje a la fuente [RDS(on)] contribuye a pérdidas de energía mínimas y una mejor gestión térmica, lo que los hace ideales para aplicaciones que requieren un alto manejo de corriente con baja disipación de energía.

Resultados: 20
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Hoja de datos
50En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
Hoja de datos
1.960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Hoja de datos
2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ
Hoja de datos
1.961En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Hoja de datos
1.996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Hoja de datos
1.984En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ
Hoja de datos
53En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
Hoja de datos
294En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
Hoja de datos
187En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH
Hoja de datos
85En existencias
60Fecha prevista: 25/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Hoja de datos
143En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Hoja de datos
350En existencias
400Fecha prevista: 30/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
Hoja de datos
350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Hoja de datos
15En existencias
350Fecha prevista: 28/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Hoja de datos
9En existencias
100Fecha prevista: 25/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ
Hoja de datos
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel