MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
UF3C065040K4S
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MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
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MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23.1 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
17 A
150 mOhms
- 25 V, + 25 V
4.4 V
25.7 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
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MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 12 V, + 12 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
254.2 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
UF3C120040K3S
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MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
65 A
45 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO26
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MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO26
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
28.8 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
UF3C065030T3S
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MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
892 En existencias
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Detalles
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
5 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247
UF3C065040K3S
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MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
54 A
42 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
UF3C120040K4S
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MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
619 En existencias
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
65 A
45 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220
UF3C065080T3S
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MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220
475 En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
UF3C065080B3
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10,13 €
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Descatalogado
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431-UF3C065080B3
Descatalogado
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MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
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Detalles
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
1 Channel
650 V
25 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7
UF3C065080B7S
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199 En existencias
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MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7
199 En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
650 V
27 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
136.4 W
Enhancement
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
UF3C120400B7S
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7,96 €
588 En existencias
800 Fecha prevista: 08/01/2027
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MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
588 En existencias
800 Fecha prevista: 08/01/2027
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
5.9 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
22.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C120080K4S
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18,21 €
641 En existencias
NRND
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431-UF3C120080K4S
NRND
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MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
641 En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
254.2 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO2
UF3C170400K3S
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10,18 €
266 En existencias
600 Fecha prevista: 18/12/2026
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431-UF3C170400K3S
onsemi
MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO2
266 En existencias
600 Fecha prevista: 18/12/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
UF3C120150K4S
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1:
12,01 €
63 En existencias
NRND
N.º Ref. Mouser
431-UF3C120150K4S
NRND
onsemi
MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
63 En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
18.4 A
330 mOhms
- 25 V, + 25 V
3.5 V
25.7 nC
- 55 C
+ 175 C
166.7 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
UF3C065030K3S
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1:
23,23 €
62 En existencias
N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030K3S
onsemi
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
62 En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
UF3C065030K4S
onsemi
1:
22,39 €
1.041 En existencias
N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030K4S
onsemi
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1.041 En existencias
Comprar
Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
UF3C065040T3S
onsemi
1:
17,54 €
1.000 Fecha prevista: 10/11/2026
N.º Ref. Mouser
431-UF3C065040T3S
onsemi
MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1.000 Fecha prevista: 10/11/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
UF3C120400K3S
onsemi
1:
9,98 €
300 Fecha prevista: 15/01/2027
N.º Ref. Mouser
431-UF3C120400K3S
onsemi
MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300 Fecha prevista: 15/01/2027
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
UF3C065030B3
onsemi
1:
21,73 €
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Descatalogado
N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030B3
Descatalogado
onsemi
MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
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Múlt.: 1
Bobina :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET