UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3.278En existencias
17,03 €
10,04 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26En existencias
2.400Pedido
Cinta extraída
10,02 €
7,08 €
5,25 €
5,08 €
Bobina
4,90 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2 343En existencias
Cinta extraída
10,98 €
6,30 €
5,81 €
5,50 €
Bobina
5,50 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247 626En existencias
10,78 €
6,06 €
5,62 €
5,31 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583En existencias
11,09 €
6,23 €
5,78 €
5,48 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24 1.142En existencias
18,20 €
10,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 202En existencias
25,27 €
18,86 €
18,79 €
16,62 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO26 618En existencias
Cinta extraída
16,54 €
10,37 €
9,68 €
Bobina
9,68 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892En existencias
22,07 €
13,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247 1.166En existencias
16,78 €
9,86 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24 619En existencias
25,38 €
16,61 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220 475En existencias
10,31 €
5,94 €
5,50 €
5,05 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1.241En existencias
Cinta extraída
10,13 €
5,84 €
5,31 €
5,02 €
Bobina
5,02 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199En existencias
Cinta extraída
11,59 €
6,73 €
6,28 €
5,94 €
Bobina
5,94 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 588En existencias
800Fecha prevista: 08/01/2027
Cinta extraída
7,96 €
4,36 €
4,01 €
3,78 €
Bobina
3,78 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 641En existencias
18,21 €
10,96 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO2 266En existencias
600Fecha prevista: 18/12/2026
10,18 €
5,74 €
5,31 €
4,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63En existencias
12,01 €
6,71 €
6,40 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247 62En existencias
23,23 €
14,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4 1.041En existencias
22,39 €
14,25 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1.000Fecha prevista: 10/11/2026
17,54 €
10,51 €
9,89 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300Fecha prevista: 15/01/2027
9,98 €
6,81 €
5,68 €
5,06 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3 No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Cinta extraída
21,73 €
14,70 €
Bobina
14,70 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET