MOSFET de SiC – Mouser España

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UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

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Resultados: 23

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Empaquetado / Estuche

Vds (Tensión separación drenador-fuente)

Id: corriente de drenaje continuo

Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)

Vgs (tensión de compuerta-fuente)

Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)

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Número de referencia

MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: 17,03 €
3.278En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065040K4S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

Más información

Hoja de datos

3.278En existencias

17,03 €

10,04 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

UF3C120150B7S
onsemi
1: 10,81 €
364En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120150B7S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120150B7S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

Más información

Hoja de datos

364En existencias

Cinta extraída

10,81 €

6,30 €

5,81 €

5,42 €

Bobina

5,42 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

17 A

150 mOhms

- 25 V, + 25 V

4.4 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C065080K4S
onsemi
1: 10,93 €
583En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065080K4S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065080K4S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

Más información

Hoja de datos

583En existencias

10,93 €

6,23 €

5,77 €

5,48 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C120080K3S
onsemi
1: 18,20 €
1.142En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120080K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120080K3S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

Más información

Hoja de datos

1.142En existencias

18,20 €

10,94 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

UF3C120040K3S
onsemi
1: 25,27 €
227En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120040K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120040K3S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

Más información

Hoja de datos

227En existencias

25,27 €

18,86 €

16,90 €

16,61 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

UF3C065080T3S
onsemi
1: 10,08 €
489En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065080T3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065080T3S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

Más información

Hoja de datos

489En existencias

10,08 €

5,94 €

5,49 €

5,05 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UF3C065030T3S
onsemi
1: 22,07 €
902En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065030T3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030T3S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

Más información

Hoja de datos

902En existencias

22,07 €

13,99 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: 13,12 €
1.166En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065040K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

Más información

Hoja de datos

1.166En existencias

13,12 €

9,95 €

9,39 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C120040K4S
onsemi
1: 25,38 €
630En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120040K4S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120040K4S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

Más información

Hoja de datos

630En existencias

25,38 €

16,61 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C065080K3S
onsemi
1: 10,59 €
644En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065080K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

644En existencias

10,59 €

6,06 €

5,62 €

5,31 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UF3C065080B3
onsemi
1: 9,89 €
1.251En existencias
Descatalogado

Fabr. N.º Ref.
UF3C065080B3

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065080B3

Descatalogado

onsemi

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

1.251En existencias

Cinta extraída

9,89 €

5,84 €

5,31 €

4,95 €

Bobina

4,95 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C065080B7S
onsemi
1: 11,35 €
199En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065080B7S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065080B7S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

Más información

Hoja de datos

199En existencias

Cinta extraída

11,35 €

6,73 €

6,28 €

5,86 €

Bobina

5,86 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136.4 W

Enhancement

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C120400B7S
onsemi
1: 7,96 €
676En existencias
800Fecha prevista: 23/11/2026

Fabr. N.º Ref.
UF3C120400B7S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120400B7S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

Más información

Hoja de datos

676En existencias

800Fecha prevista: 23/11/2026

Cinta extraída

7,96 €

4,36 €

4,01 €

3,78 €

Bobina

3,78 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

5.9 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

22.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C170400B7S
onsemi
1: 10,01 €
58En existencias
1.600Pedido

Fabr. N.º Ref.
UF3C170400B7S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C170400B7S

onsemi

MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

Más información

Hoja de datos

58En existencias

1.600Pedido

Cinta extraída

10,01 €

5,47 €

5,25 €

Bobina

5,25 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 400

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

UF3C065030K3S
onsemi
1: 23,23 €
92En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C065030K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030K3S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

Más información

Hoja de datos

92En existencias

23,23 €

14,28 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C120080B7S
onsemi
1: 16,54 €
616En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120080B7S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120080B7S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

Más información

Hoja de datos

616En existencias

Cinta extraída

16,54 €

10,37 €

9,82 €

Bobina

9,82 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

28.8 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C120080K4S
onsemi
1: 18,21 €
639En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120080K4S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120080K4S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

Más información

Hoja de datos

639En existencias

18,21 €

11,11 €

Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 300

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C170400K3S
onsemi
1: 10,18 €
466En existencias
600Fecha prevista: 16/11/2026

Fabr. N.º Ref.
UF3C170400K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C170400K3S

onsemi

MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

Más información

Hoja de datos

466En existencias

600Fecha prevista: 16/11/2026

10,18 €

5,74 €

5,31 €

Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 300

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

UF3C120150K4S
onsemi
1: 12,01 €
64En existencias

Fabr. N.º Ref.
UF3C120150K4S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120150K4S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

Más información

Hoja de datos

64En existencias

12,01 €

6,71 €

6,49 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

330 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4

UF3C065030K4S
onsemi
1: 23,29 €
1.200Fecha prevista: 19/02/2027

Fabr. N.º Ref.
UF3C065030K4S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030K4S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4

Más información

Hoja de datos

1.200Fecha prevista: 19/02/2027

23,29 €

18,64 €

16,13 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

UF3C065040T3S
onsemi
1: 16,81 €
1.000Fecha prevista: 21/12/2026

Fabr. N.º Ref.
UF3C065040T3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065040T3S

onsemi

MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

Más información

Hoja de datos

1.000Fecha prevista: 21/12/2026

16,81 €

10,03 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C120400K3S
onsemi
1: 9,50 €
300Fecha prevista: 08/03/2027

Fabr. N.º Ref.
UF3C120400K3S

N.º Ref. Mouser
431-UF3C120400K3S

onsemi

MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

Más información

Hoja de datos

300Fecha prevista: 08/03/2027

9,50 €

5,18 €

4,78 €

Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

UF3C065030B3
onsemi
1: 21,73 €
No en almacén Plazo producción 53 Semanas
Descatalogado

Fabr. N.º Ref.
UF3C065030B3

N.º Ref. Mouser
431-UF3C065030B3

Descatalogado

onsemi

MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Más información

Hoja de datos

No en almacén Plazo producción 53 Semanas

Cinta extraída

21,73 €

14,70 €

Bobina

14,70 €

MouseReel Disponible

Mín.: 1
Múlt.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

1 Channel

650 V

65 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 25 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

UF3C SiC FETs

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