D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

Resultados: 11
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Vr - Tensión inversa Serie Empaquetado
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L 1.082En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3LD Dual Anode Common Cathode 52 A 1.2 kV 1.36 V 123 A 2.39 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH40120CDN Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 386En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH50120C Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 153En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH20120C Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 1.224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 12 A 1.2 kV 1.75 V 546 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH10120C-F155 Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 539En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 26 A 1.2 kV 1.75 V 119 A 2.06 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH20120C-F155 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L 400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 1.2 kV 1.75 V 59 A 1 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH20120CDN Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L 380En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 38 A 1.2 kV 1.75 V 91 A 1.5 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH30120CDN Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 320En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 119 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NVDSH20120C Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 7En existencias
450Fecha prevista: 17/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.75 V 161 A 5 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH30120C-F155 Tube

onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 46 A 1.2 kV 1.75 V 195 A 9 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NDSH40120C-F155 Tube
onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 450Disponible de fábrica
Mín.: 450
Múlt.: 450

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV NVDSH50120C Tube