16 bit 4 Gbit Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tray
2.926Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
415Fecha prevista: 21/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
645Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI Flash NAND 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1