STW58N65DM2AG

STMicroelectronics
511-STW58N65DM2AG
STW58N65DM2AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
48 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
360 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 31 ns
Serie: STW58N65DM2AG
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 157 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 28 ns
Peso unitario: 6 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

En existencias: 454

Existencias:
454 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,14 € 9,14 €
7,70 € 77,00 €
6,99 € 699,00 €
6,23 € 3.738,00 €
5,95 € 7.140,00 €

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