STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marca: STMicroelectronics
Kit de desarrollo: EVLSTDRIVEG611
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 1.02 nA
Voltaje de salida: 220 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 60 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 7 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 490
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

En existencias: 664

Existencias:
664 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,59 € 2,59 €
1,93 € 19,30 €
1,76 € 44,00 €
1,58 € 158,00 €
1,50 € 375,00 €
1,46 € 715,40 €
1,38 € 1.352,40 €
1,34 € 3.939,60 €
1,32 € 7.114,80 €

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