GTRB266502FC-V1-R2
Fabr.:
Descripción:
FET de GaN 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)
- USHTS:
- 8541290055
- ECCN:
- EAR99
- País de origen:
- Estados Unidos
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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España
