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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 0.33 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-BSS138NH6327

Fabr. N.º:

BSS138N H6327

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Hoja de datos:

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	230 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	360 mW
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	100 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	BSS138
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	6.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.3 ns
Alias de parte #:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Peso unitario:	8 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
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5-0222-5

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Hoja de datos

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Austria

El país puede cambiar en el momento del envío.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

MOSFET de baja potencia de señal

Los MOSFET de baja potencia de señal Infineon están disponibles en 7 tipos de paquete estándar en la industria, desde el mayor SOT-223 hasta el menor SOT-363, que mide 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Se ofrecen en configuraciones individual, doble y complementaria. Existen en versiones de canal N, de canal P o complementaria (canal P y canal N en el mismo paquete) para cumplir una variedad de requisitos de diseño. Aplicaciones típicas de estos dispositivos: protección de batería, iluminación LED, accionamientos de tensión baja y convertidores de CC/CC. Cada uno de estos MOSFET de baja potencia de señal también sirve para AEC Q101 para automoción.
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Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

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OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

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Rendimiento optimizado para aplicaciones, que permite un rendimiento máximo para centros de datos, servidores & IA.

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OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

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N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

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En existencias: 3

Existencias:: 3 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 45 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Las cantidades mayores que 3 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,335 €	0,34 €
	0,232 €	2,32 €
	0,147 €	14,70 €
	0,093 €	46,50 €
	0,081 €	81,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,045 €	135,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

SP000919330

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,34 €

Min:

BSS138N H6327

Fabr.: Infineon Technologies

Descripción: MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Especificaciones

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Fabr.:

Infineon Technologies

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INFINEON