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RFD16N05LSM9A

Name: onsemi RFD16N05LSM9A
Brand: onsemi
SKU: 512-RFD16N05LSM9A
Price: 1.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-RFD16N05LSM9A

Fabr. N.º:

RFD16N05LSM9A

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET Power MOSFET

Hoja de datos:

RFD16N05LSM9A Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Fecha prevista: 11/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,65 €	1,65 €
	1,03 €	10,30 €
	0,685 €	68,50 €
	0,543 €	271,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,543 €	1.357,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	50 V
Id: corriente de drenaje continuo:	16 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	47 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	80 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	60 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Serie:	RFD16N05LSM
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	42 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns
Alias de parte #:	RFD16N05LSM9A_NL
Peso unitario:	330 mg

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Hoja de datos

RFD16N05LSM9A Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

MOSFET PowerTrench®

Fairchild ofrece la gama de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso Power Trench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación R_DS(ON) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, conmutación primaria, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más.
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