32 bit Reel CIs de memoria

Tipos de CIs de memoria
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tamaño de memoria
Tipo de interfaz
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Hoja de datos
1.323En existencias
3.000Fecha prevista: 09/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
35En existencias
1.500Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R
Hoja de datos
5En existencias
2.500Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
65En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS
Hoja de datos
90En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Winbond DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, -40C 105C, T&R 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

DRAM SMD/SMT TFBGA-200 4 Gbit
Infineon Technologies Flash NOR SEMPER
Hoja de datos
112En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

NOR Flash SMD/SMT 256 Mbit SPI
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS,
Hoja de datos
251En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM,64M,3.3V 166MHz,2M x 32
Hoja de datos
2.765En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TINTR
Alliance Memory DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
Hoja de datos
2.000En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS
Hoja de datos
7En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
11.463Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
4.452Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
1.296Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
Hoja de datos
385Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
Hoja de datos
545Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Hoja de datos
1.500Fecha prevista: 31/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
720Fecha prevista: 17/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
2.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit