Semiconductores discretos

Resultados: 4.054
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche
STMicroelectronics STTH60200CSA1
STMicroelectronics Rectificadores Rad-Hard 2x30 A - 200 V Ultrafast Rectifier in SMD1 package - Engineering model 18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Rectifiers
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 16 V ESD protection in SOT323 11.123En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SOT-323-3
STMicroelectronics Diodos de Protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional ESD protection 17.604En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SOT-323-3
STMicroelectronics Rectificadores Rad-hard 150 V, 6 A ultrafast rectifier in SOD128Flat package 121En existencias
500Fecha prevista: 26/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2
STMicroelectronics Diodos y rectificadores Schottky Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package 80En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-128-2
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 155En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT 540En existencias
600Fecha prevista: 23/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET 419En existencias
2.000Fecha prevista: 09/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MOSFETs
STMicroelectronics MOSFET N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET 399En existencias
3.000Fecha prevista: 23/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

MOSFETs
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 573En existencias
600Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Diodos y rectificadores Schottky Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model 52En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model 101En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model 21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Transistores bipolares - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model 13En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A 18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics SCR 12 A HiTJ ACST 3.492En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs


STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a 515En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package 630En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package 448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 256En existencias
600Fecha prevista: 27/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 238En existencias
600Fecha prevista: 12/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3
STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 587En existencias
1.000Fecha prevista: 21/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFET de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 246En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4