SRAM Semiconductores

Resultados: 252
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
Microchip Technology ATECC608C-MAHDA-T
Microchip Technology CI de autenticación y seguridad ECC/ECDH, I2C, 15K reel UDFN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 15.000

Renesas Electronics R9A09G087M08GBA#AC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 SINGLE CA55 SEC BULK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

Renesas Electronics R9A09G087M08GBA#BC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 SINGLE CA55 SEC FULL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 672
Múlt.: 672

Renesas Electronics R9A09G087M28GBA#AC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 DUAL CA55 SEC BULK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

Renesas Electronics R9A09G087M28GBA#BC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 DUAL CA55 SEC FULL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 672
Múlt.: 672

Renesas Electronics R9A09G087M48GBA#AC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 QUAD CA55 SEC BULK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 84
Múlt.: 84

Renesas Electronics R9A09G087M48GBA#BC1
Renesas Electronics Microprocesadores (MPU) RZ/N2H FCBGA669 QUAD CA55 SEC FULL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 672
Múlt.: 672

Terasic Technologies S0567
Terasic Technologies Módulos de memoria QDRII+ Memory Module for Stratix 10 Board No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 96
Múlt.: 96

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 135
Múlt.: 135

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 1.65V-.2.2V, 30MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000