EPC Semiconductores

Resultados: 137
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2.139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC Controlador de puerta Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 3.987En existencias
3.000Fecha prevista: 27/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 11.532En existencias
3.000Fecha prevista: 18/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/35A 16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 2En existencias
20Fecha prevista: 04/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 6.241En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 14.815En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 11.648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14.566En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 8.591En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 200V/30A 22En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/65A 20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter 3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter 8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 1En existencias
20Fecha prevista: 08/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 80V 15A 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 11.426En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 2.204En existencias
18.000Fecha prevista: 08/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 14.252En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 10.815En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 150V/25A 3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 60V/20A 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1