S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

Fabr.:

Descripción:
DRAM SPCM

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
Marca: Infineon Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cualificación: AEC-Q100
Cantidad del paquete de fábrica: 676
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: HYPERRAM
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
Tailandia
País de difusión:
Taiwán
El país puede cambiar en el momento del envío.

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.

Disponibilidad

Existencias:
0

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Pedido:
675
Fecha prevista: 22/03/2027
Plazo de producción de fábrica:
26
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
34,98 € 34,98 €
32,38 € 323,80 €
31,34 € 783,50 €
30,57 € 1.528,50 €
29,76 € 2.976,00 €
28,62 € 7.155,00 €

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