8 bit DRAM

Resultados: 352
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 96En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
1.014Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp Rev.D Tray
210Fecha prevista: 06/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
SDRAM - DDR4 8 Gb 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
581Fecha prevista: 02/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1.512Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
241Fecha prevista: 04/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
484Fecha prevista: 04/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM 1En existencias
2.400Fecha prevista: 26/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFGBA-24 8 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS66WVH8M8BLL
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
960Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
841Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp 2.664Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
242Fecha prevista: 12/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 220
Múlt.: 220

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray