DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial 396En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial 138En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial 15En existencias
210Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp 2.664Disponible de fábrica
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray